RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
56
Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
36
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
3256
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link