RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
56
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
28
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2663
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link