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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
56
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
28
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2663
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
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