RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
11.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
56
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
48
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2568
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link