RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
56
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
38
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2829
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link