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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
56
90
Intorno 38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
90
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
1743
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
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