RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Confronto
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
52
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.3
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
14900
Intorno 1.29 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
42
Velocità di lettura, GB/s
9.7
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
19200
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2173
2427
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link