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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
42
52
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
42
读取速度,GB/s
9.7
13.3
写入速度,GB/s
7.2
9.0
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
2427
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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