RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Confronto
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
52
Intorno -148% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
14900
Intorno 1.43 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
21
Velocità di lettura, GB/s
9.7
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
21300
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2173
3427
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston HP536726-H41-ELCUW 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link