Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    23 left arrow 27
    Intorno -17% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    17 left arrow 13.4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.9 left arrow 8.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 10600
    Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    27 left arrow 23
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.4 left arrow 17.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.4 left arrow 12.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2275 left arrow 2938
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti