RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Porównaj
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2275
2938
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link