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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Confronto
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
27
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
20
Velocità di lettura, GB/s
13.4
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2275
3506
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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