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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
35
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.1
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
7.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR3
Latenza in PassMark, ns
35
31
Velocità di lettura, GB/s
9.8
10.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
10.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
12800
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2126
2326
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Confronto tra le RAM
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Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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