RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 12800

Rund um 1.33% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

31 35

Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

10.1 9.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.0 7.9

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2126 2326

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns