Comparación de la memoria RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB

Puntuación global

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 12800

En 1.33% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

31 35

En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

10.1 9.8

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

10.0 7.9

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2126 2326

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns