Comparaison de la RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB

Note globale

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 12800

Autour de 1.33% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

31 35

Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

10.1 9.8

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

10.0 7.9

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2126 2326

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns