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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
35
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.1
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR3
Latence dans PassMark, ns
35
31
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
10.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
12800
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2126
2326
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaison des RAM
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Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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