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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Confronto
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Kllisre DDR4-8GB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
46
Intorno 41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
46
Velocità di lettura, GB/s
13.4
11.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2275
2311
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
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