RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Confronto
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB vs Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
51
Intorno 43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.7
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
7.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
29
51
Velocità di lettura, GB/s
10.7
10.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.5
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
10600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2412
2049
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link