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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
39
Intorno 33% latenza inferiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
39
Velocità di lettura, GB/s
12.8
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2852
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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