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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
39
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
39
读取速度,GB/s
12.8
17.5
写入速度,GB/s
9.0
9.1
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2852
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB RAM的比较
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
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