RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
26
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
23
Velocità di lettura, GB/s
12.8
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2795
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link