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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
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Motivi da considerare
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
26
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
22
Velocità di lettura, GB/s
12.8
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2978
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
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