RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
52
Intorno -160% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
4200
Intorno 4.05 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
20
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
19.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
17000
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
3234
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link