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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
104
Intorno -420% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
20
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
19.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3234
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
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