RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
28
Velocità di lettura, GB/s
12.8
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3650
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link