RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
26
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
25
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2481
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link