RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
26
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2481
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link