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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
54
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.6
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
32
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
22.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
16.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3837
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
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