RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
47
Por volta de 45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.6
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
7.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
47
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
7.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
2308
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link