RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
47
Autour de 45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.6
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
47
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
2308
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link