RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
47
En 45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
47
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2308
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link