RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
54
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.6
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
22.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
16.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
3837
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link