RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
28
Velocità di lettura, GB/s
12.8
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3258
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Corsair CM3X4GSD1066 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link