RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3258
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link