RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
31
Intorno 16% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
31
Velocità di lettura, GB/s
12.8
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2888
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link