RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
26
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
24
Velocità di lettura, GB/s
12.8
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3496
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link