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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
26
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
15.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3496
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
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Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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