RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
30
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
30
Velocità di lettura, GB/s
12.8
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3373
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link