RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
30
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3373
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston KVR648-MIN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link