RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
29
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.8
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.9
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
29
Velocità di lettura, GB/s
12.8
20.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
16.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3901
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link