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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Confronto
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
38
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
7.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
3.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
34
Velocità di lettura, GB/s
7.2
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
3.0
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
915
2917
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KQ9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
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