RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
28
Velocità di lettura, GB/s
12.8
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3786
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Segnala un bug
×
Bug description
Source link