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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
91
Intorno 71% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
4.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
91
Velocità di lettura, GB/s
12.8
6.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
4.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
1214
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
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