RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
91
Por volta de 71% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
4.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
91
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
6.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
4.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1214
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link