RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
26
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
23
Velocità di lettura, GB/s
12.8
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3037
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link