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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razões a considerar
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
26
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3037
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
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Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
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