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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
70
Intorno 63% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
12.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
70
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
1946
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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