RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
64
Intorno 59% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
6.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
12.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
64
Velocità di lettura, GB/s
12.8
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
6.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
1808
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link