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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
32
Intorno 19% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
32
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2733
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
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