RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
34
Intorno 24% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
34
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2974
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link