Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 11.4
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    43 left arrow 73
    Intorno -70% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.5 left arrow 1,423.3
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 5300
    Intorno 3.21 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    73 left arrow 43
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,510.5 left arrow 11.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,423.3 left arrow 9.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    476 left arrow 2532
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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